IXDN602SI - MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-IXDN602SI
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
340123 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IXDN602SI
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXDN602SI
Fabricante : IXYS Integrated Circuits Division
Descripción : MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Configuración dirigida : Low-Side
Tipo de canal : Independent
Número de conductores : 2
Tipo de puerta : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Suministro de voltaje : 4.5V ~ 35V
Voltaje lógico - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero) : 2A, 2A
Tipo de entrada : Non-Inverting
Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap) : -
Tiempo de subida / caída (tipo) : 7.5ns, 6.5ns
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC-EP
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IXDN602SI
Hojas de datos : IXDN602SI.pdf
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