IXDN602SI Ficha de datos
Especificaciones para IXDN602SI
Número de pieza :
IXDN602SI
Fabricante :
IXYS Integrated Circuits Division
Descripción :
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Configuración dirigida :
Low-Side
Tipo de canal :
Independent
Número de conductores :
2
Tipo de puerta :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Suministro de voltaje :
4.5V ~ 35V
Voltaje lógico - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero) :
2A, 2A
Tipo de entrada :
Non-Inverting
Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap) :
-
Tiempo de subida / caída (tipo) :
7.5ns, 6.5ns
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SOIC-EP
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-IXDN602SI
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
340123 Piezas
Precio de referencia
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