1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Número de pieza del fabricante

1N8026-GA

Número interno de parte

ABC-1N8026-GA

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

59368 Pieces

Precio de referencia

~~USD 104.05~~

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Especificaciones para 1N8026-GA

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1N8026-GA

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.6V @ 2.5A

Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1200V

Capacitancia a Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : TO-257-3

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-257

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 250°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 1N8026-GA

Hojas de datos : 1N8026-GA.pdf

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