1N8026-GA Ficha de datos
Especificaciones para 1N8026-GA
Número de pieza :
1N8026-GA
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descripción :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
1200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
8A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.6V @ 2.5A
Velocidad :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 1200V
Capacitancia a Vr, F :
237pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete / Caja :
TO-257-3
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-257
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 250°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-1N8026-GA
Fabricante
Breve descripción
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59368 Piezas
Precio de referencia
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