QJD1210010 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Número de pieza del fabricante

QJD1210010

Número interno de parte

ABC-QJD1210010

Fabricante

Powerex Inc.

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52923 Pieces

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Especificaciones para QJD1210010

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : QJD1210010

Fabricante : Powerex Inc.

Descripción : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10200pF @ 800V

Potencia - max : 1080W

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : Module

Paquete del dispositivo del proveedor : Module

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : QJD , QJD12

Documentos para QJD1210010

Hojas de datos : QJD1210010.pdf

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