QJD1210010 Ficha de datos
Especificaciones para QJD1210010
Número de pieza :
QJD1210010
Fabricante :
Powerex Inc.
Descripción :
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 10mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
10200pF @ 800V
Potencia - max :
1080W
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Chassis Mount
Paquete / Caja :
Module
Paquete del dispositivo del proveedor :
Module
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-QJD1210010
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
52923 Piezas
Precio de referencia
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