APTM100A13DG - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Número de pieza del fabricante

APTM100A13DG

Número interno de parte

ABC-APTM100A13DG

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

30090 Pieces

Precio de referencia

~~USD 79.04285~~

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Especificaciones para APTM100A13DG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APTM100A13DG

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V (1kV)

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 562nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 15200pF @ 25V

Potencia - max : 1250W

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : SP6

Paquete del dispositivo del proveedor : SP6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APTM , APTM10

Documentos para APTM100A13DG

Hojas de datos : APTM100A13DG.pdf

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