APTM100A13DG Ficha de datos
Especificaciones para APTM100A13DG
Número de pieza :
APTM100A13DG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 6mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
562nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
15200pF @ 25V
Potencia - max :
1250W
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Chassis Mount
Paquete / Caja :
SP6
Paquete del dispositivo del proveedor :
SP6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-APTM100A13DG
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
30090 Piezas
Precio de referencia
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