STL18NM60N - MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Número de pieza del fabricante

STL18NM60N

Número interno de parte

ABC-STL18NM60N

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

329014 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.99484~~

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Especificaciones para STL18NM60N

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STL18NM60N

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Serie : MDmesh™ II

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.1A (Ta), 12A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1000pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerFlat™ (8x8) HV

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STL18NM60N

Hojas de datos : STL18NM60N.pdf

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