STL18NM60N Ficha de datos
Especificaciones para STL18NM60N
Número de pieza :
STL18NM60N
Fabricante :
STMicroelectronics
Descripción :
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Serie :
MDmesh™ II
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1000pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PowerFlat™ (8x8) HV
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-STL18NM60N
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
329014 Piezas
Precio de referencia
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