TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Número de pieza del fabricante

TSM200N03DPQ33 RGG

Número interno de parte

ABC-TSM200N03DPQ33 RGG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3756081 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.087145~~

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Especificaciones para TSM200N03DPQ33 RGG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM200N03DPQ33 RGG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 345pF @ 25V

Potencia - max : 20W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDFN (3x3)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TSM200 , TSM200N03

Documentos para TSM200N03DPQ33 RGG

Hojas de datos : TSM200N03DPQ33 RGG.pdf

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