TSM200N03DPQ33 RGG Ficha de datos
Especificaciones para TSM200N03DPQ33 RGG
Número de pieza :
TSM200N03DPQ33 RGG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción :
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
345pF @ 25V
Potencia - max :
20W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-PDFN (3x3)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3756081 Piezas
Precio de referencia
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