PMGD8000LN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Número de pieza del fabricante

PMGD8000LN,115

Número interno de parte

ABC-PMGD8000LN,115

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

48243 Pieces

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Especificaciones para PMGD8000LN,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMGD8000LN,115

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 125mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.35nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 18.5pF @ 5V

Potencia - max : 200mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSSOP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMGD , PMGD800

Documentos para PMGD8000LN,115

Hojas de datos : PMGD8000LN,115.pdf

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