PMGD8000LN,115 Ficha de datos
Especificaciones para PMGD8000LN,115
Número de pieza :
PMGD8000LN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
125mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
0.35nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
18.5pF @ 5V
Potencia - max :
200mW
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-TSSOP
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-PMGD8000LN,115
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
48243 Piezas
Precio de referencia
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