2SK879-GR(TE85L,F) - JFET N-CH 0.1W USM

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
JFET N-CH 0.1W USM
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4641252 Pieces
Precio de referencia
USD 0.070525
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Especificaciones para 2SK879-GR(TE85L,F)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : 2SK879-GR(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : JFET N-CH 0.1W USM
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) : -
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : -
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 2.6mA @ 10V
Drenaje Actual (Id) - Max : -
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id : 400mV @ 100nA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 8.2pF @ 10V
Resistencia - RDS (On) : -
Potencia - max : 100mW
Temperatura de funcionamiento : 125°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SC-70, SOT-323
Paquete del dispositivo del proveedor : USM
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : 2SK879 , 2SK879-GR

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