RF4E100AJTCR - MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

Número de pieza del fabricante

RF4E100AJTCR

Número interno de parte

ABC-RF4E100AJTCR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2074821 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RF4E100AJTCR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RF4E100AJTCR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1460pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : HUML2020L8

Paquete / Caja : 8-PowerUDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RF4E100AJTCR

Hojas de datos : RF4E100AJTCR.pdf

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