CTLDM8002A-M621H TR - MOSFET N-CH 50V DFN6

Número de pieza del fabricante

CTLDM8002A-M621H TR

Número interno de parte

ABC-CTLDM8002A-M621H TR

Fabricante

Central Semiconductor Corp

Breve descripción

MOSFET N-CH 50V DFN6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

44148 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para CTLDM8002A-M621H TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CTLDM8002A-M621H TR

Fabricante : Central Semiconductor Corp

Descripción : MOSFET N-CH 50V DFN6

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 50V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 280mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.72nC @ 4.5V

Vgs (Max) : 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 70pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.6W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TLM621H

Paquete / Caja : 6-XFDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CTLDM8002A-M621H TR

Hojas de datos : CTLDM8002A-M621H TR.pdf

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