FQB4N80TM - MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

Número de pieza del fabricante

FQB4N80TM

Número interno de parte

ABC-FQB4N80TM

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

720629 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.45422~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

ABC Semiconductor tiene FQB4N80TM en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para FQB4N80TM. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para FQB4N80TM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQB4N80TM

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 880pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.13W (Ta), 130W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263AB)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FQB , FQB4

Documentos para FQB4N80TM

Hojas de datos : FQB4N80TM.pdf

Productos relacionados para FQB4N80TM ON Semiconductor

Número de pieza	Marca	Descripción
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1500PF 14KV SCREW.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	Ceramic Capacitors 52PF 400VAC SL RADIAL.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 50PF 30KV AXIAL.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 8.1PF 25V NP0 0402.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 12KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV R85.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 10KV SCREW.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	Ceramic Capacitors 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 20KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 1000PF 100V BP 1206.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.