NVMFD5C650NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Número de pieza del fabricante

NVMFD5C650NLT1G

Número interno de parte

ABC-NVMFD5C650NLT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

576450 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.56782~~

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Especificaciones para NVMFD5C650NLT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVMFD5C650NLT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 98µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2546pF @ 25V

Potencia - max : 3.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NVMFD , NVMFD5C

Documentos para NVMFD5C650NLT1G

Hojas de datos : NVMFD5C650NLT1G.pdf

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