FDG6303N_G - INTEGRATED CIRCUIT

Número de pieza del fabricante

FDG6303N_G

Número interno de parte

ABC-FDG6303N_G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

INTEGRATED CIRCUIT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

53846 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDG6303N_G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDG6303N_G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 50pF @ 10V

Potencia - max : 300mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete del dispositivo del proveedor : SC-88 (SC-70-6)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDG , FDG63

Documentos para FDG6303N_G

Hojas de datos : FDG6303N_G.pdf

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