IXTB30N100L - MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

Número de pieza del fabricante

IXTB30N100L

Número interno de parte

ABC-IXTB30N100L

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

69472 Pieces

Precio de referencia

~~USD 21.536~~

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Especificaciones para IXTB30N100L

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTB30N100L

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 545nC @ 20V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 13200pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 800W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PLUS264™

Paquete / Caja : TO-264-3, TO-264AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXTB30N100L

Hojas de datos : IXTB30N100L.pdf

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