VS-10ETF10S-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Número de pieza del fabricante

VS-10ETF10S-M3

Número interno de parte

ABC-VS-10ETF10S-M3

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

657342 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.49795~~

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Especificaciones para VS-10ETF10S-M3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : VS-10ETF10S-M3

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1000V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 10A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.33V @ 10A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 310ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 1000V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK

Temperatura de funcionamiento - Unión : -40°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para VS-10ETF10S-M3

Hojas de datos : VS-10ETF10S-M3.pdf

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