NVMFS5832NLWFT3G - MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Número de pieza del fabricante

NVMFS5832NLWFT3G

Número interno de parte

ABC-NVMFS5832NLWFT3G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

82592 Pieces

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Especificaciones para NVMFS5832NLWFT3G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVMFS5832NLWFT3G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 21A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2700pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.7W (Ta), 127W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NVMFS , NVMFS583

Documentos para NVMFS5832NLWFT3G

Hojas de datos : NVMFS5832NLWFT3G.pdf

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