IRFH7110TR2PBF - MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Número de pieza del fabricante

IRFH7110TR2PBF

Número interno de parte

ABC-IRFH7110TR2PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

63648 Pieces

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Especificaciones para IRFH7110TR2PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFH7110TR2PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Ta), 58A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3240pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PQFN (5x6)

Paquete / Caja : 8-TQFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRFH , IRFH711

Documentos para IRFH7110TR2PBF

Hojas de datos : IRFH7110TR2PBF.pdf

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