SI2334DS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Número de pieza del fabricante

SI2334DS-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SI2334DS-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

47072 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

ABC Semiconductor tiene SI2334DS-T1-GE3 en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para SI2334DS-T1-GE3. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para SI2334DS-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI2334DS-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 634pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI233 , SI2334D

Documentos para SI2334DS-T1-GE3

Hojas de datos : SI2334DS-T1-GE3.pdf

Productos relacionados para SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Número de pieza	Marca	Descripción
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 12KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 12KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 1000PF 100V BP 1206.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 30KV AXIAL.
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.9PF 50V NP0 0201.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 10KV SCREW.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 20KV SCREW.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8400PF 18KV.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10000PF 100V BP 1825.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 10KV.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7000PF 15KV R230 DISK.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 8.1PF 25V NP0 0402.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 220PF 100V BP 1805.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.