BSM300D12P2E001 - MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Número de pieza del fabricante

BSM300D12P2E001

Número interno de parte

ABC-BSM300D12P2E001

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

59059 Pieces

Precio de referencia

~~USD 335.685~~

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Especificaciones para BSM300D12P2E001

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSM300D12P2E001

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Característica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 68mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 35000pF @ 10V

Potencia - max : 1875W

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : Module

Paquete del dispositivo del proveedor : Module

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BSM300D12P2E001

Hojas de datos : BSM300D12P2E001.pdf

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