ZXMN2A04DN8TC - MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

ZXMN2A04DN8TC

Número interno de parte

ABC-ZXMN2A04DN8TC

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

60723 Pieces

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Especificaciones para ZXMN2A04DN8TC

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ZXMN2A04DN8TC

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA (Min)

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22.1nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1880pF @ 10V

Potencia - max : 1.8W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para ZXMN2A04DN8TC

Hojas de datos : ZXMN2A04DN8TC.pdf

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