TK6A80E,S4X - MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Número de pieza del fabricante

TK6A80E,S4X

Número interno de parte

ABC-TK6A80E,S4X

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

346367 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.945~~

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Especificaciones para TK6A80E,S4X

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK6A80E,S4X

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Serie : π-MOSVIII

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 600µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1350pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 45W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220SIS

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TK6A80E,S4X

Hojas de datos : TK6A80E,S4X.pdf

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