TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

TPS1101DR

Número interno de parte

ABC-TPS1101DR

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

674751 Pieces

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Especificaciones para TPS1101DR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPS1101DR

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 15V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V

Vgs (Max) : +2V, -15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 791mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : TPS1101DR.pdf

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