IGLD60R070D1AUMA1 - IC GAN FET 600V 60A 8SON

Número de pieza del fabricante

IGLD60R070D1AUMA1

Número interno de parte

ABC-IGLD60R070D1AUMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

IC GAN FET 600V 60A 8SON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

76219 Pieces

Precio de referencia

~~USD 7.97489~~

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Especificaciones para IGLD60R070D1AUMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IGLD60R070D1AUMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : IC GAN FET 600V 60A 8SON

Serie : CoolGaN™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 15A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 2.6mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 380pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 114W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-LSON-8-1

Paquete / Caja : 8-LDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IGLD60R070D1AUMA1

Hojas de datos : IGLD60R070D1AUMA1.pdf

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