FDB8870 - MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Número de pieza del fabricante

FDB8870

Número interno de parte

ABC-FDB8870

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

669389 Pieces

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Especificaciones para FDB8870

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDB8870

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Ta), 160A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5200pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 160W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AB

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : FDB8870.pdf

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