IXTP230N04T4M - MOSFET N-CH

Número de pieza del fabricante

IXTP230N04T4M

Número interno de parte

ABC-IXTP230N04T4M

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

327320 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IXTP230N04T4M

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTP230N04T4M

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH

Serie : TrenchT4™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 230A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 115A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (Max) : ±15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7400pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 40W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220 Isolated Tab

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXTP230N04T4M

Hojas de datos : IXTP230N04T4M.pdf

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