STH275N8F7-6AG - MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Número de pieza del fabricante

STH275N8F7-6AG

Número interno de parte

ABC-STH275N8F7-6AG

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

222586 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.4705~~

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Especificaciones para STH275N8F7-6AG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STH275N8F7-6AG

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Serie : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 180A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 193nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 13600pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 315W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : H2PAK-6

Paquete / Caja : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STH275N8F7-6AG

Hojas de datos : STH275N8F7-6AG.pdf

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