SI8819EDB-T2-E1 - MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Número de pieza del fabricante

SI8819EDB-T2-E1

Número interno de parte

ABC-SI8819EDB-T2-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

5072837 Pieces

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Especificaciones para SI8819EDB-T2-E1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI8819EDB-T2-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 3.7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 650pF @ 6V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 900mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

Paquete / Caja : 4-XFBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI8819EDB-T2-E1

Hojas de datos : SI8819EDB-T2-E1.pdf

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