CDBGBSC101200-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Número de pieza del fabricante

CDBGBSC101200-G

Número interno de parte

ABC-CDBGBSC101200-G

Fabricante

Comchip Technology

Breve descripción

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

107144 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.49125~~

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Especificaciones para CDBGBSC101200-G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CDBGBSC101200-G

Fabricante : Comchip Technology

Descripción : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Configuración de diodo : 1 Pair Common Cathode

Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V

Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) : 18A (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 5A

Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 1200V

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : TO-247-3

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : CDBGB , CDBGBSC

Documentos para CDBGBSC101200-G

Hojas de datos : CDBGBSC101200-G.pdf

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