3LN01C-TB-E - MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Número de pieza del fabricante

3LN01C-TB-E

Número interno de parte

ABC-3LN01C-TB-E

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

93440 Pieces

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Especificaciones para 3LN01C-TB-E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 3LN01C-TB-E

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 150mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.58nC @ 10V

Vgs (Max) : ±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 250mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 3-CP

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : 3LN , 3LN01

Documentos para 3LN01C-TB-E

Hojas de datos : 3LN01C-TB-E.pdf

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