SIS903DN-T1-GE3 - MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Número de pieza del fabricante

SIS903DN-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SIS903DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1408029 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.23247~~

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Especificaciones para SIS903DN-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIS903DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Serie : TrenchFET® Gen III

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2565pF @ 10V

Potencia - max : 2.6W (Ta), 23W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8 Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8 Dual

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIS90 , SIS903D

Documentos para SIS903DN-T1-GE3

Hojas de datos : SIS903DN-T1-GE3.pdf

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