ZDS020N60TB - MOSFET N-CH 600V 8SOIC

Número de pieza del fabricante

ZDS020N60TB

Número interno de parte

ABC-ZDS020N60TB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1461264 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.224~~

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Especificaciones para ZDS020N60TB

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ZDS020N60TB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 600V 8SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 630mA (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 310pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOP

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : ZDS , ZDS02

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Hojas de datos : ZDS020N60TB.pdf

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