PMPB12UN,115 - MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Número de pieza del fabricante

PMPB12UN,115

Número interno de parte

ABC-PMPB12UN,115

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

78880 Pieces

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Especificaciones para PMPB12UN,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMPB12UN,115

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 886pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-DFN2020MD (2x2)

Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMPB , PMPB12

Documentos para PMPB12UN,115

Hojas de datos : PMPB12UN,115.pdf

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