TH58BYG2S3HBAI6 - IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Número de pieza del fabricante

TH58BYG2S3HBAI6

Número interno de parte

ABC-TH58BYG2S3HBAI6

Fabricante

Toshiba Memory America, Inc.

Breve descripción

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

135032 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.08~~

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Especificaciones para TH58BYG2S3HBAI6

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TH58BYG2S3HBAI6

Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.

Descripción : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Serie : Benand™

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Non-Volatile

Formato de memoria : FLASH

Tecnología : FLASH - NAND (SLC)

Tamaño de la memoria : 4Gb (512M x 8)

Frecuencia de reloj : -

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 25ns

Tiempo de acceso : 25ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 67-VFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 67-VFBGA (6.5x8)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TH58B , TH58BYG

Documentos para TH58BYG2S3HBAI6

Hojas de datos : TH58BYG2S3HBAI6.pdf

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