SI4931DY-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

SI4931DY-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SI4931DY-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1366092 Pieces

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Especificaciones para SI4931DY-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI4931DY-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 350µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Potencia - max : 1.1W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI493 , SI4931D

Documentos para SI4931DY-T1-GE3

Hojas de datos : SI4931DY-T1-GE3.pdf

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