DMN6070SY-13 - MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Número de pieza del fabricante

DMN6070SY-13

Número interno de parte

ABC-DMN6070SY-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4331978 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para DMN6070SY-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMN6070SY-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 588pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-89-3

Paquete / Caja : TO-243AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMN6070SY-13

Hojas de datos : DMN6070SY-13.pdf

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