NTMFS4H013NFT1G - MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL

Número de pieza del fabricante

NTMFS4H013NFT1G

Número interno de parte

ABC-NTMFS4H013NFT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

513037 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.638~~

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Especificaciones para NTMFS4H013NFT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTMFS4H013NFT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 43A (Ta), 269A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3923pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.7W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NTMFS , NTMFS4H

Documentos para NTMFS4H013NFT1G

Hojas de datos : NTMFS4H013NFT1G.pdf

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