TP65H035WS - GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Número de pieza del fabricante

TP65H035WS

Número interno de parte

ABC-TP65H035WS

Fabricante

Transphorm

Breve descripción

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

62426 Pieces

Precio de referencia

~~USD 9.735~~

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Especificaciones para TP65H035WS

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TP65H035WS

Fabricante : Transphorm

Descripción : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 46.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1500pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 156W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247-3

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TP65H035WS

Hojas de datos : TP65H035WS.pdf

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