FDC855N - MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Número de pieza del fabricante

FDC855N

Número interno de parte

ABC-FDC855N

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2778286 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDC855N

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDC855N

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 655pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.6W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SuperSOT™-6

Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : FDC855N.pdf

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