SCTW90N65G2V - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Número de pieza del fabricante

SCTW90N65G2V

Número interno de parte

ABC-SCTW90N65G2V

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

49696 Pieces

Precio de referencia

~~USD 30.075~~

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Especificaciones para SCTW90N65G2V

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SCTW90N65G2V

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 90A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 157nC @ 18V

Vgs (Max) : +22V, -10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3300pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 390W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : HiP247™

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SCTW , SCTW90

Documentos para SCTW90N65G2V

Hojas de datos : SCTW90N65G2V.pdf

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