APT34F100B2 - MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Número de pieza del fabricante

APT34F100B2

Número interno de parte

ABC-APT34F100B2

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

63037 Pieces

Precio de referencia

~~USD 9.641~~

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Especificaciones para APT34F100B2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APT34F100B2

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Serie : POWER MOS 8™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9835pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1135W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : T-MAX™ [B2]

Paquete / Caja : TO-247-3 Variant

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para APT34F100B2

Hojas de datos : APT34F100B2.pdf

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