TPN4R712MD,L1Q - MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Número de pieza del fabricante

TPN4R712MD,L1Q

Número interno de parte

ABC-TPN4R712MD,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2397983 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.1365~~

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Especificaciones para TPN4R712MD,L1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPN4R712MD,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Serie : U-MOSVI

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 36A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4300pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 42W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TPN4R712MD,L1Q

Hojas de datos : TPN4R712MD,L1Q.pdf

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