PMZB370UNE,315 - MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Número de pieza del fabricante

PMZB370UNE,315

Número interno de parte

ABC-PMZB370UNE,315

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4962475 Pieces

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Especificaciones para PMZB370UNE,315

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMZB370UNE,315

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 900mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 490 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.16nC @ 15V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 78pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN1006B-3

Paquete / Caja : 3-XFDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMZB , PMZB370

Documentos para PMZB370UNE,315

Hojas de datos : PMZB370UNE,315.pdf

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