TSM061NA03CV RGG - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Número de pieza del fabricante

TSM061NA03CV RGG

Número interno de parte

ABC-TSM061NA03CV RGG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1362879 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.24017~~

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Especificaciones para TSM061NA03CV RGG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM061NA03CV RGG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 66A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 19.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1136pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 44.6W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDFN (3x3)

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TSM06 , TSM061NA

Documentos para TSM061NA03CV RGG

Hojas de datos : TSM061NA03CV RGG.pdf

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